Pamięć na 9 bitów

Jak donosi Silicon Strategies, IMEC – niezależna organizacja zajmująca się projektowaniem i określaniem nowych technologii produkcji zintegrowanych układów elektronicznych – stworzyła prototyp trwałej komórki pamięci, która może przechowywać 9 bitów danych.

Wynalazek może przyczynić się do czterokrotnego zwiększenia gęstości pamięci w porównaniu z najbardziej obecnie zaawansowanymi pamięciami z „pływającymi bramkami” (floating gate), nad którymi wciąż trwają prace. Typowo, w każdej komórce pamięci flash przechowywany jest pojedynczy bit, niemniej firma Saifun Semiconductor już zademonstrowała możliwość przechowywania pojedynczego bitu na każdym końcu komórki pamięci flash. Taki typ pamięci został przez FASL LLC nazwany „MirrorBit”, zaś Macronix International określa je mianem pamięci „Nbit”.

Firma Saifun nie ma zamiaru poprzestać na dotychczasowym osiągnięciu i już zapowiada stworzenie pamięci, która w jednej komórce przechowywała by 4 bity informacji. W tym celu firma planuje połączenie dwóch komórek pamięci w jedną, która będzie sterowana dwoma różnymi poziomami napięcia. Jednak wynalazek IMEC jest jeszcze lepszy, bowiem pamięci „ScanROM” zapamietują w jednej komórce aż 9 bitów. Szczegóły technologiczne tego rozwiązania zostaną ujawnione na sympozjum „Układy i Technologia VLSI”, jakie odbędzie się w dniach 15-17 czerwca w Honolulu.

Z informacji już opublikowanych można się dowiedzieć, że pamięci „ScanROM” wykorzystują dwubramkowe tranzystory z podłożem ONO (oxide-nitride-oxide) bramki po stronie drenu. Jak podają autorzy wynalazku, kolejne bity przechowywane są w ciągach w różnych komórkach na całej długości pamięci. Dzięki temu, że bramki komórki sterowane są napięciem o różnym poziomie, z obydwu stron możliwe jest właściwe adresowanie przy zapisie i odczycie danych.

Źródło informacji: Digit-Life